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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，品類(lèi)豐富
壓敏電阻的物理特性：
ＺｎＯ 壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像 ＺｎＯ 微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來(lái)補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。
由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一，想了解更多壓敏電阻的信息，請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝
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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ 的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在，使得 ＺｎＯ 壓敏電 阻對(duì)極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個(gè)背對(duì) 背的二極管。進(jìn)一步說(shuō)，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時(shí)，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢(shì)壘電勢(shì)，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！
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靜態(tài)電容量（PF）
靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
響應(yīng)時(shí)間τ
IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測(cè)試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測(cè)試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對(duì)8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0。
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